高性能薄膜晶体管器件物理和集成应用

报告题目：高性能薄膜晶体管器件物理和集成应用

报告人：李文武 教授  复旦大学

报告时间：2023年7月10日 上午10:00-11:00

报告地点：我校物理科技楼155

报告人简介： 李文武，复旦大学光电研究院/材料科学系教授、博士生导师。2012年6月博士毕业于华东师范大学微电子学与固体电子学专业，2012年至2021年分别在日本国立材料研究所(NIMS)、中国南方电网公司、华东师范大学等地从事研究工作，2021年8月至今任职于复旦大学。主要从事高性能薄膜晶体管、器件物理和集成应用研究，以第一作者或通讯作者发表SCI论文63余篇，包括Nature Commun. (2篇), IEEE EDL/TED (10篇), AM/AFM (7篇), Matter/ACS Nano/ Nano Lett. (3篇), Adv. Sci./Small/Nano Energy (5篇)等，论文被引用2500余次。近五年获授权国家发明专利18项，主持国家自然科学基金青年基金、面上项目和联合基金等多项课题；目前担任Elsevier出版社Materials Science Engineering. B期刊编辑和Materials Today Electronics期刊编委。

报告摘要：集成电路和关键元器件是事关国家安全和发展全局的基础核心领域，是需要国家集中优势资源攻关的关键核心技术。晶体管作为核心电子元器件，是构成集成电路的基础单元，同时已广泛应用于存储器、显示器和智能传感等国计民生领域。其中，迁移率和开关比等是衡量晶体管性能的核心电学参数，直接决定了晶体管的应用场景。而要提升晶体管迁移率，需要提高源极的电荷注入和沟道的电荷输运效率。本报告将以电荷注入和电荷输运调控为策略，探讨如何设计实现高迁移率和高开关比场效应晶体管，进一步分析晶体管器件物理机制，在高性能晶体管研制的基础上，设计实现集成电路和类脑计算等应用。